LSCR523EBFS8TL دیتاشیت

LSCR523EBFS8TL

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت LSCR523EBFS8TL
حجم فایل 43.449 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 2

مشاهده دیتاشیت LSCR523EBFS8TL

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: ROHM Semicon LSCR523EBFS8TL
  • Transistor Type: NPN
  • Operating Temperature: +150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 100mA
  • Power Dissipation (Pd): 150mW
  • Transition Frequency (fT): 350MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 120@1mA,6V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 100nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 50V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 100mV@50mA,5mA
  • Package: SC-89
  • Manufacturer: ROHM Semicon

محصولات مشابه